Проект приморских учёных получил совместный грант России и Китая для создания сверхбыстрой электроники

Об этом сообщила пресс-служба ДВФУ.

Ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) выиграли совместный грант Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ) и Государственного фонда естественных наук Китая. Финансовая поддержка позволит углубить исследование многослойных магнитных структур для электроники нового типа (спин-орбитроники) — энергоэффективных и сверхбыстрых устройств обработки информации и искусственного интеллекта.

Как сообщил руководитель проекта, ведущий научный сотрудник лаборатории пленочных технологий Школы естественных наук ДВФУ Александр Самардак, создание и исследование новых материалов для спин-орбитроники вызывают интерес ведущих научных групп из разных стран. Эти работы имеют не только фундаментальный характер, но в большей степени направлены на создание энергоэффективных и сверхбыстрых запоминающих и логических устройств. Новые технологии позволят уменьшить размер ячейки памяти и увеличить скорость обработки информации.

«Спин-орбитроника — одно из самых перспективных направлений современной науки. Благодаря новейшим разработкам, для переключения намагниченности — бита данных — в ячейках памяти больше не нужны внешние магнитные поля, а достаточно использовать электрические импульсы. Ячейки памяти могут стать значительно меньше, при этом скорость их работы многократно увеличится по сравнению с имеющимися аналогами», — добавил Александр Самардак

Российско-китайский грант позволит ученым ДВФУ провести испытания и получить новые данные в лаборатории для низкотемпературных исследований Института физики Китайской академии наук. Также запланированы совместные работы коллег из КНР в ДВФУ и двухсторонние научные семинары.

Создание и изучение материалов для электроники нового типа является одним из прорывных направлений работы ученых Дальневосточного федерального университета. Например, сотрудникам лаборатории пленочных технологий первым в мире удалось получить ультратонкие материалы состава рутений-кобальт-рутений с толщиной всего в четыре атомных слоя. Также ученые создали работающую ячейку вихревой магниторезистивной памяти на основе магнитных нанодисков, которая может найти применение при создании компьютеров, оперирующих троичной логикой, сообщает пресс-служба ДВФУ.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *